| 飞兆半导体新型1200V IGBT模块
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出两种新型1200V IGBT模块 --FMG2G50US120 和FMG2G75US120，电流额定值分别为50A和75A，具有兼顾地优化的导通损耗(VCE(sat))与关断损耗(Eoff)，提供非常低的总体功率损耗，适用范围涵盖焊接设备、不间断电源 (UPS)，以及工作频率在10kHz-30kHz的普通逆变器。与使用非穿通型 (NPT) 技术的同类元件相比，飞兆半导体的FMG2G75US120可减少功率损耗达20%。(在CO2 焊接应用中的测试取得良好效果：20kHz 开关频率；380V 3相输入；300A输出；全负载条件下峰值电流为40A；及全负载条件下最大占空比为20%。为了在目标工业应用中达到高可靠性要求，飞兆半导体的新型1200V IGBT 功率模块还具有极低的VCE(sat) 温度变化偏差。额定值为75A的FMG2G75US120在25 至125°C温度范围内的最大偏差值仅为0.1V。两款1200V器件同时备有全面的10微秒短路耐受时间和矩形反偏压安全工作区域 (RBSOA)，进一步提升系统的稳定性。
新推出的1200V IGBT模块丰富了飞兆半导体不断扩展的IGBT模块产品系列，包括市场唯一的600V/300A和 400A低饱和IGBT模块，专为AC/DC电弧焊接设备的次级而设计，以及600V/50~400A标准IGBT模块。
FMG2G50US120和FMG2G75US120采用2-PAK模块封装，通过了UL认证。1200V IGBT模块的推出扩大了飞兆半导体针对工业应用的产品种类，包括用于AC/DC转换、DC/AC转换、机动和速度控制、绝缘、数据捕捉、指示器和显示器，以及DC/DC转换各种器件。 |
